从政务云到企业集群，从科研计算到工业设计，国产CPU主板正驱动着全场景算力的稳步落地——这套以12V供电母线为骨干的异构计算体系，需在纳秒级响应内将300W以上能量精准输送至各计算单元，保障处理器性能的稳定释放。

电源方案的瞬态响应与转换效率直接决定算力输出的稳定性。面对处理器在纳秒级负载切换中的电流瞬间波动，及其内部多电压的精准供电需求，如何将数百瓦总功耗的供电以低损耗、快响应精准分配至每一计算核心？面对国产主板紧凑的布局设计与复杂的功耗曲线，长工微深入适配国产主流平台，量身打造了全套电源解决方案——从多相控制器到大电流DrMOS，再到全系列POL，以精准、高效的电流供给，确保自主算力持续在线。

IS6207A+IS6821A 供电

PMBus/SVI3动态调压下的12相V-CORE方案

IS6207A是一款专为xPU电压调节设计的双输出数字12相降压控制器，兼容PMBus/SVI3 3.0协议。其采用独有专利Turbo Constant On-Time控制算法，可实现动态相位控制和智能功率状态切换，瞬态响应速度快，同时支持电流电压信息遥测和报错记录功能，便于系统运维与故障排查。

IS6821A作为内置功率MOSFET及栅极驱动器的智能功率级，支持3V-16V的宽输入电压范围，单相支持90A的电流输出，其搭配支持缺相保护的控制器，可通过PS的IMON报错功能精准定位故障相，实现故障相独立关断、其余相持续工作。该器件兼具高效率与小尺寸优势，是多相供电应用中兼顾性能与空间优化的理想选择。

典型特性：

IS6207A

• 自动升降相，N+M≤12（N≤12，M≤6）
• 兼容PMBus，可选高速总线：SVI3或PVID
• 支持预存6种配置，提升系统设计的灵活性与兼容性
• 优化两个回路的瞬态性能，有效减少输出电容用量和系统成本
• 支持超频，具备VOSEN、VORTN和PWM的浮动检测
• 通过Pin-strap实现多配置切换，每相开关频率200kHz至3MHz

IS6821A

• 高温老化测试后，IMON精度偏差≤±2%
• IMON报错功能，支持缺相保护
• 工作频率范围覆盖100kHz至2MHz
• 单颗芯片可承受正电流240A-1ms的负载不烧毁，负电流130A不烧毁
• 精确的电流/温度采样、监测和故障警报功能
• 内置正负电流限制功能，可提供故障报告

核心优势：

• 双输出数字12相降压型电源模组
• 12相最高可满足近1000A的输出电流需求
• 高效节能，大幅降低供电损耗，兼顾性能与功耗
• 瞬态响应快，有效抑制电压波动，供电稳定性高
• 灵活适配，高扩展性，可满足不同系统升级与适配需求

IS6210A+IS6816B供电

PMBus/SVI3动态调压下的8相V-CORE方案

IS6210A是面向高端计算和数据处理单元供电设计的双环路8相Buck控制器，兼容PMBus/SVI3 3.0协议。该控制器配置基于实时负载电流的动态相位管理（Dynamic Phase Control），可根据负载变化智能调整工作相位。支持完整的电流电压遥测和报错记录功能。

IS6816B是内置功率MOSFET及栅极驱动器的智能功率级，能在2.5V-16V输入电压范围内实现单相90A的连续输出电流，且在较低输出电压下实现高达95%的工作效率。其采用优化的MOSFET设计，通过内部MOSFET感测实现卓越的电流检测精度，有效降低开关损耗与传导损耗。

典型特性：

IS6210A

• 支持TLVR应用，适配高端计算设备电压调节需求
• 具备故障相隔离的容错运行功能
• 自动升降相，N+M≤8（N≤8，M≤6）
• 快速响应算法调整，瞬态性能进一步增强
• 200kHz-3MHz宽频域自适应调节，支持超频操作
• 支持VOSEN、VORTN和PWM的浮动检测

IS6816B

• 可接收三态脉宽调制（PWM）信号
• 三态下可实现BST自动刷新充电
• 单颗芯片可承受正电流250A-1ms负载不烧毁，负电流110A不烧毁
• 精确的电流/温度采样、监测和故障警报功能
• 高电流承载能力、优异热性能及高效能

核心优势：

• 双输出数字8相降压型电源模组，架构紧凑
• 8相最高可满足近720A的输出电流需求
• 全负载范围内实现功率级的智能能效调度与热均衡，有效优化轻载效率
• 可选配基于热敏电阻的温度传感或最高温度报告功能

SVI3 6+2 application

IS6609A，30A的全集成高频同步降压变换器

VDD/VDDQ 大电流电源方案

IS6609A是一款高效率、高功率密度，全集成的同步降压转换器，内部集成LDO，可在单输入电源下输出最高30A电流，简化供电设计，采用简单的环路补偿，通过优化的封装与热设计，满足对空间和性能要求苛刻的负载点供电需求。

典型特性

• 输入电压: 5.5V-17V，输出电压: 0.8V-5.5V
• 2.5V最小启动输入电压V_IN（采用外置VCC）
• 开关频率可选范围600kHz至1.2MHz
• 轻载时采用二极管仿真模式，全负载范围高效运行
• PWM传播延迟低（<20ns）
• 四种软启动斜率可选
• 输出稳压良好

核心优势

• 高效能源转换效率，易于使用和设计
• 故障触发可关闭并以间歇模式恢复运行
• 在全负载范围内实现高效率与快速瞬态响应

IS6108系列，高度集成50A/60A输出可并联的E-Fuse

专为热插拔设计的多重保护器件

IS6108系列（IS6108A/IS6108B/IS6108C）是专为服务器、数据存储和通信产品等高电流应用场景设计的可编程热插拔保护芯片。该系列器件能够有效保护输入免受输出短路和瞬态影响。启动期间，可通过设置输出电压Slew Rate精确限制浪涌电流。

IS6108系列内置MOSFET和采样电阻，将电源保护、监控和控制功能高度集成于单芯片解决方案中。支持独立运行或通过热插拔控制器进行控制，具备多相并联操作以满足更高电流应用的需求。

典型特性

IS6108A/C

• 输入电压: 4.5V-18V，最大输入耐受电压25V
• 集成0.6mΩ功率FET，高达60A的直流电流
• 5V LDO输出，快速响应 (200ns) 用于短路保护
• 精准的电流Sence与温度Sence输出
• 支持多相并联架构，满足大电流应用方案
• 输入到输出短路检测，内置保险丝健康诊断
• 独立的电流感应输出：用于对过流值进行编程
• 故障和电流限制信号输出，输出电流测量及输出电压掉电控制
• 内置MOSFET驱动器，支持软启动和插入延迟
• 集成芯片级全方位保护与故障检测功能
• Fault Response：IS6108A支持Latched，IS6108C支持Auto Retry

IS6108B

• 输入电压: 4V-16V
• 集成0.8mΩ功率FET，高达50A的直流电流
• 支持多相并联及主动均流
• 支持带载较大电流启动
• 3.3V LDO输出
• IMON电流监测精度±2%
• 可配置的过流限制及短路电流限制
• 通过MODE可设置latch或retry（0.25s、0.5s、1s）
• 通过SCREF可设置不同SCP电流（40~120A）
• 内置MOSFET驱动器，支持软启动和插入延迟
• 通过FLT_TYPE电压识别芯片故障保护类型
• 集成故障信号输出及芯片级全方位保护检测功能

兼容性测试

下图中电源管理芯片已通过客户端全面的兼容性测试，能够满足不同国产CPU平台的供电需求，覆盖从核心电压(V-Core/CPU)、系统芯片(SOC)、内存接口(VDDIO_DDR/VDDM)到各类辅助电源(VDD/VDDP_PHY等)的完整供电方案。

该系列产品已在多个客户端完成严格的验证测试并批量发货，广泛应用于各类国产化计算设备中，下述为服务器/工作站中不同规格型号CPU的应用框图：