内部集成两路Buck及单个负载开关,满载电流达14A

IS6302A是针对LPDDR5/LPDDR4X而设计的高功率全集成的电源解决方案。 该芯片在宽输入电压范围3.15V-22V内支持三路输出,内部集成两路Buck和单个负载开关,10A连续输出电流,Buck满载可达14A。 IS6302A采用3mm x 3mm QFN封装,优化的高低侧MOSFET设计,兼顾高效率、高性能的同时具备更小的应用体积。 IS6302A采用COT™控制模式,最小的输出电容提供快速瞬态响应,在整个输入电压和输出负载范围内具有出色的线性调整和负载调节,且同时支持内存应用程序的两种睡眠模式操作(S3/S5)。 此外,IS6302A具有全套保护功能,包括输入欠压锁定(UVLO)、输出过电流限制(OCL)、输出过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过温保护(OTP)等,适用于高数据传输率/宽输出电压范围的笔电、服务器、数据中心等领域。

内部集成两路Buck及单个负载开关,满载电流达14A

IS6302A是针对LPDDR5/LPDDR4X而设计的高功率全集成的电源解决方案。 该芯片在宽输入电压范围3.15V-22V内支持三路输出,内部集成两路Buck和单个负载开关,10A连续输出电流,Buck满载可达14A。 IS6302A采用3mm x 3mm QFN封装,优化的高低侧MOSFET设计,兼顾高效率、高性能的同时具备更小的应用体积。 IS6302A采用COT™控制模式,最小的输出电容提供快速瞬态响应,在整个输入电压和输出负载范围内具有出色的线性调整和负载调节,且同时支持内存应用程序的两种睡眠模式操作(S3/S5)。 此外,IS6302A具有全套保护功能,包括输入欠压锁定(UVLO)、输出过电流限制(OCL)、输出过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过温保护(OTP)等,适用于高数据传输率/宽输出电压范围的笔电、服务器、数据中心等领域。
