集成两路LDO,Buck满载10A,可为LPDDR4X提供供电一体化电源方案

IS6630D可为LPDDR4X提供高功率密度的完整电源解决方案,其内部集成了同步降压型开关变换器(VDD2),该变换器可在宽输入电压(4.5V~22V)范围内提供高达10A的连续电流,具有出色的负载和线性调整率。它采用本司专利的TCOT™控制模式,可实现快速瞬态响应。 同时,芯片内部还集成了VDDQ LDO、VDD1 LDO。VDDQ LDO输出端只需要一颗22uF的陶瓷电容,即可吸收或提供1.5A的持续电流;VDD1 LDO输出端则需要两颗22uF的陶瓷电容,可提供1.5A的持续电流。 IS6630D采用QFN16 (3mmx3mm)封装,内部集成了完整的保护功能,包括OCP, NOCP, OVP, UVP及OTP。 芯片内设开漏输出的PGOOD信号,用来指示芯片工作状态。输出端采用纯陶瓷电容,可为用户达到节省空间及成本的目的。

集成两路LDO,Buck满载10A,可为LPDDR4X提供供电一体化电源方案

IS6630D可为LPDDR4X提供高功率密度的完整电源解决方案,其内部集成了同步降压型开关变换器(VDD2),该变换器可在宽输入电压(4.5V~22V)范围内提供高达10A的连续电流,具有出色的负载和线性调整率。它采用本司专利的TCOT™控制模式,可实现快速瞬态响应。 同时,芯片内部还集成了VDDQ LDO、VDD1 LDO。VDDQ LDO输出端只需要一颗22uF的陶瓷电容,即可吸收或提供1.5A的持续电流;VDD1 LDO输出端则需要两颗22uF的陶瓷电容,可提供1.5A的持续电流。 IS6630D采用QFN16 (3mmx3mm)封装,内部集成了完整的保护功能,包括OCP, NOCP, OVP, UVP及OTP。 芯片内设开漏输出的PGOOD信号,用来指示芯片工作状态。输出端采用纯陶瓷电容,可为用户达到节省空间及成本的目的。
